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Typical Characteristics
5
2500
4
I D = -6A
V DS = -4V
-6V
2000
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
-8V
3
2
1500
1000
C OSS
1
500
C RSS
0
0
5
10
15
20
25
0
0
3
6
9
12
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
100 μ s
8
SINGLE PULSE
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
1
V GS = -4.5V
DC
10ms
100ms
1s
6
4
0.1
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
2
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
R θ JA = 156 C/W
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
o
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC606P Rev E (W)
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